حافظه ۱۰ نانومتری

چیپ های حافظه ۱۰ نانومتری ۶۴ گیگابایتی ساخته شد

درست است که هنوز از انتشار خبر تولید انبوه حافظه های eMMC فوق سریع سامسونگ در آگوست زمان زیادی نمی گذرد، اما این شرکت باز هم به ارتقاء این چیپ ها پرداخته و تولید نسل جدیدی از آنها را شروع کرده است. مهاجرت از تکنولوژی ۲۰ نانومتری به ۱۰ نانومتری, به چیپ های جدید ۶۴ گیگابایتی eMMC Pro کلاس 2000 سامسونگ امکان داده تا ۲۰ درصد اندازه فیزیکی کوچکتر و ۳۰ درصد کارایی بالاتری داشته باشند. 

البته باید گفت که این تغییرات باعث افزایش سرعت تولید صنعتی این محصول به میزان ۳۰ درصد شده است که به معنی تولید تعداد بیشتر حافظه فلش در زمان مشخص است. چیپ های فعلی سامسونگ که تولید آنها از چند ماه پیش آغاز شده، از استاندارد رابط کاربری eMMC 4.5 بهره می برند. اما سامسونگ برای چیپ های ۱۰ نانومتری جدید خود به دنبال استاندارد تازه تری است که این طراحی تازه را به خوبی پوشش دهد. 

سرعت نوشتن حافظه های جدید دو هزار IOPS (عملیات ورودی-خروجی در ثانیه) است و سرعت خواندن آنها به پنج هزار IOPS می رسد. در حالی که سخت افزار فعلی موجود در بازار به سرعت نوشتن و خواندن ۱۵۰۰-۳۰۰۰ رضایت داده است. پهنای باند این حافظه های جدید هم به سرعت خواندن ۲۶۰ مگابایت در ثانیه و سرعت نوشتن ۵۰ مگابایت بر ثانیه رسیده است. 

تولید این چیپ های حافظه جدید از اواخر ماه میلادی گذشته شروع شده و به زودی شاهد حضور آنها بر روی اسمارت فون ها و تبلت های مان خواهیم بود.